专利名称：薄膜传感器专利类型：发明专利发明人：郑岳世
申请号：CN201810201769.8申请日：20180312公开号：CN110261011A公开日：20190920
摘要：本发明涉及一种薄膜传感器，其中包括：两薄膜基材；至少两导电层，分别设置于两薄膜基材的内侧面上；多个压电薄膜，多个压电薄膜设置于两薄膜基材的内侧面之间，压电薄膜的两侧面分别通过导电胶黏贴于导电层相对于薄膜基材的一侧面；当本发明的薄膜传感器弯曲时，压电薄膜能够随着薄膜基材一起产生弯曲变形，并使得多个压电薄膜因压电效应而产生一感测信号。
申请人：华一声学股份有限公司
地址：中国新北市
国籍：TW
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
代理人：黄艳
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