半导体器件的扇出型晶圆级封装方法[发明专利]

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专利名称：半导体器件的扇出型晶圆级封装方法专利类型：发明专利发明人：赵立新,邓辉,夏欢申请号：CN201610377245.5申请日：20160601公开号：CN105957836A公开日：20160921

摘要：本发明提供一种半导体器件的扇出型晶圆级封装方法，包括：提供第一晶圆，于所述第一晶圆的第一表面上粘接若干芯片，所述芯片正面直接或通过中间层保留键合所述第一晶圆；于所述芯片之间填满填充材料，并通过平坦化技术使芯片背面与填充材料表面平坦化；于所述填充材料表面和所述芯片背面直接或通过中间层保留键合第二晶圆，由所述第一晶圆的第二表面减薄所述第一晶圆至预设厚度；于所述第一晶圆的第二表面上形成至少一层重布线层，于最外层的重布线层上形成焊球。本发明的半导体器件的扇出型晶圆级封装方法，可有效保证芯片平整度，提高重布线层精度，并通过平坦化技术使芯片背面与填充材料表面平坦化，降低封装高度，改善散热性能。

申请人：格科微电子(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

国籍：CN

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