专利名称:点接触太阳能电池用的改良掺杂图案专利类型:发明专利
发明人:尼可拉斯·P·T·贝特曼,约翰·W·奎夫申请号:CN201380033059.4申请日:20130501公开号:CN104396025A公开日:20150304
摘要:本发明揭示对太阳能电池,尤其对点接触太阳能电池进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂,而对其他部分进行p掺杂。可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的图案化逆掺杂制程,来消除至少一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应,且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中,逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。
申请人:瓦里安半导体设备公司
地址:美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
国籍:US
代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司
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