专利名称：贴合晶圆的制造方法专利类型：发明专利发明人：石塚徹,小林德弘申请号：CN2014800218.5申请日：20140325公开号：CN10521A公开日：20160120
摘要：本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。
申请人：信越半导体株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
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